技術參數
1。ECR微波等離子體源＆和電源：
•圓形
8，12inch等離子體源
頻率2.46GHz
微波發生器，電磁鐵和3個調諧器
•矩形等離子體源
長度：500to1，000mm（upto2，000mmforlargeplanarareadeposition）
•電源
微波電源：50-1，200W（upto10kW）
反射微波功率測量
磁體電源：600W（100V，6A）
2。薄膜沉積控制：
•膜厚檢測和處理時間可通過計算機程序控制
•膜厚檢測和處理速度可通過計算機程序控制
支持大面積沉積（如：氧化硅、氮化硅等）
可升級為在線ECR-PECVD系統
•質量流量和自動壓力控制
質量流量控制器：各種氣體
Baratron真空規：等離子體處理
節流閥和控制器
3。真空室：
•圓形腔體
•直徑：φ400～600mm（Substrate：2to15inch）
•高度：400～700mm
•方形腔體
•根據用戶需求定制
4。真空泵和測量裝置：
•低真空：干泵，增壓泵和Convectron真空規
•高真空：渦輪分子泵和離子規
5。控制系統：PLC，計算機觸摸屏控制
主要特點
擴展功能：
•射頻電源：基底偏壓
•帶自動樣品遞送裝置的Loadlock樣品加載室
•溫度控制器：基底加熱
•蒸鍍cellfordopingonfilm
•基底旋轉功能：以提供薄膜厚度和熱均勻性
•大面積基底平移系統
•冷卻系統g
ECR特點：
•更高的離子化程度
•更高的離子密度、低壓下＜10-4Torr下粒子的活性
•更低的污染：因為無需電極
•適用于等離子體清洗，表面活化／改性和薄膜沉積
儀器介紹
全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD／ICPEtcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等；
