RA18H1213G是18-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在1.24-1.30-GHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V（最低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5V（典型值）和5V（最大）提供.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.
特征
•增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W,ηT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
•寬帶頻率范圍：1.24-1.30GHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
