為了滿足特定應(yīng)用的市場(chǎng)需要，北京石竹科技于2012年4月中發(fā)布帶物理自毀功能的電子盤和存儲(chǔ)卡，解決了存儲(chǔ)體失控情況下的數(shù)據(jù)信息的安全問題。
北京石竹科技通過自主創(chuàng)新開發(fā)了一種物理自毀技術(shù)，該技術(shù)可以在3秒內(nèi)，徹底損毀SSD或存儲(chǔ)卡的內(nèi)部數(shù)據(jù)及Flash存儲(chǔ)介質(zhì)、控制芯片，使您的關(guān)鍵數(shù)據(jù)安全性得到充分保障。
該物理自毀技術(shù)解決了存儲(chǔ)卡和電子盤不能完全銷毀數(shù)據(jù)的問題，通過向固態(tài)電子盤或存儲(chǔ)卡的核心電路施加+28V高壓，在3s內(nèi)擊毀控制芯片和NAND Flash存儲(chǔ)器，在燒毀NAND Flash器件時(shí)，使得電源和控制信號(hào)達(dá)到徹底銷毀，物理自毀后的控制芯片和Flash存儲(chǔ)器內(nèi)部電路及其硬件結(jié)構(gòu)已經(jīng)完全擊穿，無法再對(duì)其進(jìn)行任何修復(fù)，可使Flash存儲(chǔ)器和控制芯片實(shí)現(xiàn)真正意義上的自毀，從而確保您的數(shù)據(jù)安全。由于采用了電源及信號(hào)隔離技術(shù)，當(dāng)物理自毀電路工作時(shí)，不會(huì)影響到系統(tǒng)內(nèi)其它板卡或設(shè)備的工作。用于物理自毀的+28V電源輸入可選擇常供或是在需要時(shí)提供，當(dāng)自毀電源常供時(shí)只有很小的功耗（<0.2W），物理自毀可通過電平觸發(fā)或上升沿觸發(fā)。
物理自毀是對(duì)SSD或存儲(chǔ)卡的電路、控制器及存儲(chǔ)顆粒的實(shí)質(zhì)性銷毀，相對(duì)其它銷毀方式而言它具有兩個(gè)顯著特點(diǎn)：一是銷毀速度快，二是銷毀徹底。當(dāng)您的設(shè)備工作在某種特殊的情況下，不希望SSD或存儲(chǔ)卡內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被對(duì)手掌握從而給己方帶來各方面的損失時(shí)，就需要一種技術(shù)手段，可以對(duì)您的SSD或存儲(chǔ)卡中的數(shù)據(jù)進(jìn)行快速的銷毀，從而確保數(shù)據(jù)的安全性，而在不需要物理自毀時(shí)，帶物理自毀功能的SSD或存儲(chǔ)卡的工作與普通的SSD沒有任何區(qū)別，所以您盡可以放心使用。
增加了物理自毀功能的SSD和存儲(chǔ)卡在結(jié)構(gòu)尺寸上和2.5" SSD以及XMC/PMC存儲(chǔ)卡尺寸完全一致，用戶只要輸入+28V電源和自毀觸發(fā)信號(hào)即可。
物理自毀和安全擦除的比較：
1. 安全擦除是指電子盤的Flash芯片內(nèi)容被覆蓋，SSD或存儲(chǔ)卡的內(nèi)部電路及硬件結(jié)構(gòu)并無損毀，還可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。
2. 物理自毀是指電子盤的Flash存儲(chǔ)介質(zhì)、控制器芯片及內(nèi)部電路均受到徹底的損毀，無法再進(jìn)行讀寫數(shù)據(jù)操作，其存儲(chǔ)介質(zhì)Flash無法進(jìn)行修復(fù)，無法再進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作，SSD或存儲(chǔ)卡徹底無法使用。
3. 物理自毀的銷毀時(shí)間最可短至秒級(jí)，而安全擦除要長(zhǎng)達(dá)數(shù)分鐘或幾十分鐘。
北京石竹的工業(yè)級(jí)及軍品級(jí)CFD系列SSD及存儲(chǔ)卡可以同時(shí)支持安全擦除和物理自毀，也可根據(jù)用戶的實(shí)際需求進(jìn)行定制。
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